2025 RSNA에서 발표된 Varex Imaging과 Nanox의 협력 기술에 대한 최신 정보를 확인하겠습니다.

Varex Imaging MBX와 Nanox MEMs 기반 Stationary CT 기술의 혁명

Executive Summary

2025년 RSNA Innovation Theater에서 Varex Imaging이 발표한 MBX (Multi-Beam X-ray Source) 기술은 Nanox의 혁신적인 Silicon MEMs 기반 Cold Cathode 기술을 통합하여 의료 영상의 근본적 패러다임 전환을 실현했습니다.

이는 단순한 하드웨어 개선이 아닌, MEMs 반도체 기술 + 딥러닝 알고리즘 + 압축 센싱 수학의 삼위일체 융합으로, 전통적 회전 갠트리 CT의 물리적 한계를 초월한 차세대 정지형(stationary) CT 시대를 열었습니다.

1. Nanox MEMs Cold Cathode: 근본 기술의 혁신

1.1 Silicon MEMs Nanocone Array의 구조

핵심 구성

칩 크기: 약 1cm² (10mm × 10mm)
나노콘 밀도: 5,000,000 ~ 15,000,000 개
개별 나노콘 크기: 수백 나노미터
게이트 홀 갭: 나노스케일 (190 nm)
작동 전압: 25~40V DC (저전압)

미세 구조

Cone Geometry: 정점 각도 약 <22°의 결정질 실리콘 구조
Field Emission Mechanism: 나노콘 정점과 게이트 홀 사이 극도로 좁은 갭에서 초고전기장 (~10^9 V/m) 형성
Electron Extraction: Fowler-Nordheim 양자 터널링 효과로 전자 추출
Surface Engineering: 약 3nm 두께의 비정질 코팅으로 필드 이미션 효율 향상

1.2 전통적 Hot Cathode vs. Nanox Cold Cathode

비교 항목	Hot Cathode (전통)	Nanox Cold Cathode
전자 방출 원리	열전자 방출
(Thermionic)	필드 이미션
(Field Emission)
작동 온도	2000°C	상온 (~25°C)
필라멘트 재질	텅스텐 단일 필라멘트	실리콘 나노콘 수백만개
작동 전압	수백~수천 V	25~40V DC
예열 시간	수십 초~수 분	즉시 (< 1ms)
전력 소모	수 kW (냉각 포함)	수십~수백 W
수명	수천 시간	예상 수만 시간+
제어성	아날로그, 느림	디지털,
빠름 (μs 단위),
공식발표 <2μs
다중 소스	불가능 (열 간섭)	가능 (열 저발생)

1.3 CSEM MEMS Foundry의 제조 공정

핵심 공정

Silicon Wafer : 150mm (100) 웨이퍼
전기화학적 에칭: 수백만 개의 나노콘을 균일하게 생성하는 "초정밀 타이밍 에칭"

<aside> 💡
- Thomas Overstolz (CSEM 선임 엔지니어): "수백만 개의 나노콘을 정확히 같은 높이로 만들기 위해 독자적인 전기화학적 에칭 공정 개발. 초 단위로 타이밍을 제어해야 함." </aside>